Información Básica
- Solicitud : estructura de cerámica , cerámica industrial
- Tipo : Piezas de cerámica
Información Adicional.
- Origin: Guangzhou, China
- Production Capacity: 500000m2 Per Year
Descripción de Producto
Introducción del producto:
Cerámica de nitruro de aluminio como la tercera generación de materiales de embalaje de electrónica, es ampliamente utilizado en el chip semiconductor packaging, esmerilado y pulido, módulo de alimentación, energía y el módulo de IGBT etc...
Características del producto:
Conductividad térmica ØHigh
La fuerza ØHigh
La precisión ØHigh
Resistencia de aislamiento ØHigh
Disponible de forma ØComplex
Resistencia ØPlasma
Las características del producto:
El estado | Unidad | AlN sustrato | ||||
Material | - | - | AlN | AlN | AlN | |
El color | - | - | Gris | Gris | El beige | |
La densidad aparente | - | G/cm3 | 3.30 | 3.28 | 3.25 | |
La rugosidad superficial Ra | - | Μm | 0.3 | 0.5 | - | |
La reflectividad | 0.3-0.4mmt | % | 35 | - | - | |
0, 8-1.0mmt | 25 | - | - | |||
Mecánica | Resistencia a la flexión | Método 3 puntos | MPa | 450 | 250 | 200 |
Módulo de elasticidad | - | El GPa | 320 | - | - | |
Dureza Vickers | - | El GPa | 11 | - | - | |
La tenacidad de fractura | Si el método | MPa*m1/2 | 3.0 | - | - | |
Thermal | Coeficiente de expansión térmica | 40-400°C | 10-6/K | 4.6 | 4.6 | 4.6 |
40-800°C | 5.2 | 5.2 | 5.2 | |||
Conductividad térmica | 25°C | W/(m*K) | 180 | 200 | 230 | |
300°C | 120 | 130 | 145 | |||
Calor específico | 25°C | J/(kg*K) | 720. | 720. | 720. | |
Equipos eléctricos | La constante dieléctrica | 1MHz | - | 9.0 | 8.7 | 8.7 |
Factor de pérdida dieléctrica | 1MHz | 10-3 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | |
La resistividad de volumen | 25°C | Ω*cm. | > 1014 | > 1014 | > 1014 | |
La fuerza de desglose | DC | KV/mm | > 15 | > 15 | > 15 |
La dimensión General:
El tema | Unidad | Tipo | ||
Un-170 | Un-200 | Un-230 | ||
La dimensión | Pulgadas(máx. ). | 5.5" x 7.5" | 5.0" x 7.0" | 5.0" x 7.0" |
La tolerancia | ±1% NLT: ±0, 1mm. | ±1% NLT: ±0, 1mm. | ±1% NLT: ±0, 1mm. | |
Grosor | Mm | 0.25~1, 5 | 0.25~1, 5 | . 635 0.25~0 |
La tolerancia | ±10%±0, 04mm NLT: | ±10%±0, 04mm NLT: | ±10%±0, 04mm NLT: | |
A través del agujero | Mm | Φ0.2~ | Φ0.2~ | Φ0.2~ |
La tolerancia | ±0, 6% NLT: ±0, 05mm | ±0, 6% NLT: ±0, 05mm | ±0, 6% NLT: ±0, 05mm | |
Alabeo | Mm | 0.003/mm | 0.003/mm | 0.003/mm |
Por AlN el prensado en seco máximo disponible es de 450 mm de diámetro y espesor es de 20mm
Aplicaciones de producto:
Sustrato de AlN puede ser la mejor solución para aplicaciones de electrónica donde se requieren condiciones estrictas, tales como módulos de potencia (MOSFET, IGBT), paquetes de LED para la refrigeración y la protección de circuitos, paquetes y módulos. Al igual que el sustrato de la disipación de calor, el paquete de LED, Módulo de alimentación, la oblea pegado, las resistencias de potencia.
Varios de procesamiento de Metalizado está disponible (Thin Film, de película gruesa, DBC, AMBAR, el DPC, etc. ).
¿Por qué elegir nosotros:
1. Buen conocimiento acerca de la AlN material
2. Veteranos del equipo de ingeniería I+D en la AlN cerámica
3. La capacidad de fabricación de material prototipo rápido
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